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标题: MOS场效应管AO3415A的性能参数 [打印本页]

作者: shuxia99 时间: 2018-11-28 17:53
标题: MOS场效应管AO3415A的性能参数
本帖最后由 shuxia99 于 2018-11-28 17:57 编辑

AO3415A使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和操作与门电压1.8v。该设备适用于负荷开关的应用程序使用。
AO3415A参数
VDS公司-20 v
ID(vg = -4.5 v)4
在vg RDS(上)(= -4.5 v)< 41 m?
在vg RDS(上)(= -2.5 v)< 53 m?
在vg RDS(上)(= -1.8 v)< 65 m?
防静电保护
门负责测试电路和波形

(, 下载次数: 2)

AO3415A性能
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
导电方式：增强型
封装外形：SMD(SO)/表面封装
产品系列：AO3400 AO3401 AO3407 AO3415
额定电流：4
应用范围：其他
场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。
有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。
MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
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作者: flyleaf 时间: 2018-11-29 08:43
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