CGH09120F高功率氮化镓（GaN）晶体管

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CGH09120F高功率氮化镓（GaN）晶体管

CGH09120F是一款由 Wolfspeed（原CREE科锐）公司生产的高电子迁移率晶体管（HEMT），采用氮化镓（GaN）技术，具有高效率、高增益和宽带能力，支持宽带信号处理，尤其适合需要动态频率调整的系统。

主要特性

频率范围：UHF 至 2.5 GHz。

功率输出：120 瓦。

增益：21 分贝。

工作电压：28 V。

封装形式：陶瓷/金属法兰封装。

效率：在 20 W PAVE 时效率为 35%。

应用优势：支持高度数字预失真（DPD）校正。

技术对比与优势

参数	CGH09120F	硅基LDMOS	备注
频率上限	2.5 GHz	通常<1 GHz	GaN在高频下效率更高
功率密度	4.3 W/mm²	约1 W/mm²	适合紧凑型设计
效率（PAVE）	35%	20%~25%	显著降低系统功耗
热阻	1.2°C/W	2.5°C/W	更优的散热能力

应用领域

无线通信基站

作为 LTE、WCDMA 或 MC-GSM 基站功率放大器的核心器件，提供高效率、高线性的射频信号放大，降低基站能耗与运营成本。

适用于多载波聚合（CA）场景，通过 DPD 技术提升多载波信号的线性度。

雷达与电子战系统

在雷达发射机中实现宽带信号的高效放大，支持高分辨率成像与目标探测。

适用于电子战中的干扰机，通过高功率、宽带宽特性实现有效的信号压制。

卫星通信与微波回传

在 Ka 频段或 Ku 频段卫星通信终端中，作为功率放大器件，提供稳定的信号增益与输出功率。

适用于微波回传链路，支持长距离、高容量的数据传输。